ISCN372N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ISCN372N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ISCN372N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCN372N даташит

 ..1. Size:252K  inchange semiconductor
 iscn372n.pdf pdf_icon

ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372N DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V(Min) (BR)CBO High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 7.1. Size:228K  inchange semiconductor
 iscn372m.pdf pdf_icon

ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372M DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V(Min) (BR)CBO High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 9.1. Size:260K  inchange semiconductor
 iscn341n.pdf pdf_icon

ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistors ISCN341N DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage V = 450V (Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 720 V CBO V Collector-Emitter Voltage 450 V CEO

 9.2. Size:251K  inchange semiconductor
 iscn366p.pdf pdf_icon

ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN366P DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20-60@I = 0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSE350J, KSH13005, 2SC3866A, 3DK501D, 3DA77, 3DF5B, ISCN366P, ISCN372M, 2SC2073, SSCP005GSB, SJT13009NT, 2N5401B, 2N5401B-Y1, 2N5401B-Y2, 2N5551A, 2N5551A-Y1, 2N5551A-Y2