Справочник транзисторов. ISCN372N

 

Биполярный транзистор ISCN372N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ISCN372N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для ISCN372N

 

 

ISCN372N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  inchange semiconductor
iscn372n.pdf

ISCN372N
ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372NDESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSUltrahigh-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 7.1. Size:228K  inchange semiconductor
iscn372m.pdf

ISCN372N
ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372MDESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSUltrahigh-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 9.1. Size:260K  inchange semiconductor
iscn341n.pdf

ISCN372N
ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistors ISCN341NDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage: V = 450V (Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 720 VCBOV Collector-Emitter Voltage 450 VCEO

 9.2. Size:251K  inchange semiconductor
iscn366p.pdf

ISCN372N
ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN366PDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20-60@I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC6042

 

 
Back to Top