Справочник транзисторов. ISCN372N

 

Биполярный транзистор ISCN372N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ISCN372N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO3P

Аналоги (замена) для ISCN372N

 

 

ISCN372N Datasheet (PDF)

..1. iscn372n.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

ISCN372N ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372NDESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSUltrahigh-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

7.1. iscn372m.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

ISCN372N ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372MDESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSUltrahigh-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

9.1. iscn366p.pdf Size:251K _inchange_semiconductor

ISCN372N ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN366PDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20-60@I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

9.2. iscn341n.pdf Size:260K _inchange_semiconductor

ISCN372N ISCN372N

isc Silicon NPN Power Transistors ISCN341NDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage: V = 450V (Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 720 VCBOV Collector-Emitter Voltage 450 VCEO

Другие транзисторы... 2SC619 , 2SC62 , 2SC620 , 2SC620M , 2SC621 , 2SC621A , 2SC621M , 2SC622 , TIP2955 , 2SC623 , 2SC624 , 2SC626 , 2SC627 , 2SC627F , 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 .

 

 
Back to Top