Биполярный транзистор SSCP005GSB - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SSCP005GSB
Маркировка: P005
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23-6L
Аналоги (замена) для SSCP005GSB
SSCP005GSB Datasheet (PDF)
..1. Size:502K afsemi
sscp005gsb.pdf
sscp005gsb.pdf
SSCP005GSB SSCP005GSB High Frequency High Gain PNP Power BJT Features Pin configuration VCE VBE VCESAT Typ. IC Top view -40V -6V -150mV -3A Description This device is produced with advanced high carrier density technology, which is especially used SOT23-6L to minimize saturation voltage drop. This device particularly suits low voltage applications such a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050