SSCP005GSB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSCP005GSB  📄📄 

Маркировка: P005

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SSCP005GSB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SSCP005GSB даташит

 ..1. Size:502K  afsemi
 sscp005gsb.pdf pdf_icon

SSCP005GSB

SSCP005GSB SSCP005GSB High Frequency High Gain PNP Power BJT Features Pin configuration VCE VBE VCESAT Typ. IC Top view -40V -6V -150mV -3A Description This device is produced with advanced high carrier density technology, which is especially used SOT23-6L to minimize saturation voltage drop. This device particularly suits low voltage applications such a

Другие транзисторы: KSH13005, 2SC3866A, 3DK501D, 3DA77, 3DF5B, ISCN366P, ISCN372M, ISCN372N, 2SA1837, SJT13009NT, 2N5401B, 2N5401B-Y1, 2N5401B-Y2, 2N5551A, 2N5551A-Y1, 2N5551A-Y2, A1013A