Справочник транзисторов. C945B

 

Биполярный транзистор C945B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: C945B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 52 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для C945B

 

 

C945B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  feihonltd
c945b.pdf

C945B C945B

TRANSISTOR C945B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 150mA Epitaxial silicon VCEO 52V High switching speed VCBO 70V RoHS RoHS product PC 400mW APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency po

 0.1. Size:272K  kec
ktc945b.pdf

C945B C945B

SEMICONDUCTOR KTC945BTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)N DIM MILLIMETERSLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHzA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXComplementary to KTA733B(O, Y, GR class). GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MA

 0.2. Size:66K  first silicon
ftc945b.pdf

C945B

SEMICONDUCTORFTC945BTECHNICAL DATANPN TRANSISTOR B CFEATURE Excellent hFE linearity DIM MILLIMETERS Low noise A 4.70 MAXEB 4.80 MAXG Complementary to FTA733B C 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) F 1.27G 0.85H 0.45Symbol Parameter Value Units_HJ 14.00 + 0.50L 2.30F FVCBO Collector-Base Voltage 60 V

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top