FC1407 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FC1407  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для FC1407

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC1407 даташит

 ..1. Size:264K  cn guoxin jiapin
 fc1407.pdf pdf_icon

FC1407

FC1407 NPN SILICON RF TRANSISTOR FC1047 NPN SOT-323 4GHz S21e 2

 9.1. Size:24K  international rectifier
 irfc1404.pdf pdf_icon

FC1407

PD - 93776 IRFC1404 HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form D 40V Size 4.0 RDS(on)=0.0029 G 6" Wafer S Electrical Characteristics (Wafer Form) Parameter Description Guaranteed (Min/Max) Test Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40V Min. VGS = 0V, ID = 250 A RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance 2.9m Max. VGS = 10V, ID = 45A VGS(th) Gate Threshold Vol

 9.2. Size:128K  sanyo
 fc140.pdf pdf_icon

FC1407

Ordering number EN3361 FC140 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2074 ing efficiency greatly. [FC140] Small output capacitance, high gain-bandwidth product. The FC140 is formed with two c

 9.3. Size:1886K  cn guoxin jiapin
 fc1406.pdf pdf_icon

FC1407

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S8550MG-B, S8550MG-C, S8550MG-D, FD965S, FS13001, FC1404, FC1405, FC1406, A42, FC3355, FC3356, FC3356G, FC3357A, FC3357B, FC3357C, FC3357D, FC3585A