BC847PNQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC847PNQ  📄📄 

Маркировка: K7P

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BC847PNQ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847PNQ даташит

 ..1. Size:485K  diodes
bc847pnq.pdfpdf_icon

BC847PNQ

BC847PNQ COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT363 Description Mechanical Data This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the Case SOT363 stringent requirements of Automotive Applications. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Feat

 7.1. Size:166K  siemens
bc847pn.pdfpdf_icon

BC847PNQ

BC 847PN NPN/PNP Silicon AF Transistor Array For AF input stages and driver applivations High current gain Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistors in one package Tape loading orientation PIN Configuration NPN-Transistor 1 = E 2 = B 6 = C PNP-Transistor 4 = E 5 = B 3 = C Type Marking Ordering Code Package BC 847

 7.2. Size:453K  diodes
bc847pn.pdfpdf_icon

BC847PNQ

BC847PN COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT363 Features Mechanical Data Epitaxial Die Construction Case SOT363 Two Internally Isolated NPN/PNP Transistors in One Package Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Ideal for Medium Power Amplification and Switching UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ultra-Small Surface

 7.3. Size:848K  infineon
bc846pn bc846upn bc847pn.pdfpdf_icon

BC847PNQ

BC846PN/UPN_BC847PN NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays For AF input stage and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistor in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BC846PN BC846UPN BC847PN C1 B2 E2 6 5 4 TR2 TR1 1 2 3 E1 B1 C2 EHA

Другие транзисторы: AC847CWQ, AC857BQ, AC857CQ, AC857CWQ, APT13003H, BC817-16Q, BC817-25Q, BC817-40Q, 2SD1047, BCP51TA, BCP5110TA, BCP5116TA, BCP5116TC, BCP52TA, BCP5210TA, BCP5216TA, BCP53TA