Биполярный транзистор BFP450 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP450
Маркировка: AN*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.17 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.48 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT343
BFP450 Datasheet (PDF)
bfp450.pdf
SIEGET25 BFP450NPN Silicon RF Transistor For Medium Power AmplifiersCompression Point P-1dB = +19 dBm at 1.8 GHzMaximum Available Gain Gma = 14 dB at 1.8 GHzNoise Figure F = 1.25 dB at 1.8 GHzTransition Frequency fT = 24 GHzGold metalization for high reliability SIEGET25-LineSiemens Grounded Emitter Transistor-25 GHz fT-LineESD: Electrostatic discharge sens
bfp450.pdf
BFP450Surface mount high linearity wideband silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP450 is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET) that is part ofInfineons established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transitionfrequency fT of 24 GHz, collector design and high linearity characteristics make thedevice suitable for energy eff
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050