BFP450 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP450

Маркировка: AN*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.17 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.48 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP450

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP450 даташит

 ..1. Size:66K  siemens
 bfp450.pdf pdf_icon

BFP450

SIEGET 25 BFP450 NPN Silicon RF Transistor For Medium Power Amplifiers Compression Point P-1dB = +19 dBm at 1.8 GHz Maximum Available Gain Gma = 14 dB at 1.8 GHz Noise Figure F = 1.25 dB at 1.8 GHz Transition Frequency fT = 24 GHz Gold metalization for high reliability SIEGET 25-Line Siemens Grounded Emitter Transistor- 25 GHz fT-Line ESD Electrostatic discharge sens

 ..2. Size:522K  infineon
 bfp450.pdf pdf_icon

BFP450

BFP450 Surface mount high linearity wideband silicon NPN RF bipolar transistor Product description The BFP450 is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET ) that is part of Infineon s established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 24 GHz, collector design and high linearity characteristics make the device suitable for energy eff

Другие транзисторы: BFP182W, BFP183W, BFP193W, BFP196, BFP405, BFP405F, BFP410, BFP420, 2SC4793, BFP520F, BFP540, BFP540ESD, BFP540FESD, BFP640, BFP640ESD, BFP650, BFP650F