Биполярный транзистор BFP520F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP520F
Маркировка: AP*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 32000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.07 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TSFP4-1
BFP520F Datasheet (PDF)
bfp520f.pdf
BFP520FLow profile high gain silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP520F is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET) that is part ofInfineons established fifth generation RF bipolar transistor family. Its transitionfrequency fT of 45 GHz, high gain and low noise make the device suitable for applicationsup to 15 GHz. It remains cost competitiv
bfp520.pdf
SIEGET 45BFP 520NPN Silicon RF TransistorPreliminary data3 For highest gain low noise amplifier4 at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V Outstanding Ga = 20 dB Noise Figure F = 0.95 dB For oscillators up to 15 GHz 2 Transition frequency fT = 45 GHz1 VPS05605 Gold metalization for high reliability SIEGET 45 - Line Siemens Grounded Emitter Transistor 45 GHz
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050