Справочник транзисторов. BFP760

 

Биполярный транзистор BFP760 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BFP760

Маркировка: R6*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: SOT343

Аналоги (замена) для BFP760

 

 

BFP760 Datasheet (PDF)

..1. bfp760.pdf Size:831K _infineon

BFP760 BFP760

BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top