BFP760 - описание и поиск аналогов

 

BFP760 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BFP760
   Маркировка: R6*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP760

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP760 - технические параметры

 ..1. Size:831K  infineon
 bfp760.pdf pdf_icon

BFP760

BFP760 Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor Data Sheet Revision 1.1, 2013-08-05 RF & Protection Devices Edition 2013-08-05 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic

Другие транзисторы... BFP650F , BFP720 , BFP720ESD , BFP720F , BFP720FESD , BFP740ESD , BFP740F , BFP740FESD , 2SC2625 , BFP780 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD , BFP843 , BFP843F , BFQ790 , BFR193F .

History: SMUN5234DW

 

 
Back to Top

 


 
.