Биполярный транзистор BFP760 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP760
Маркировка: R6*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT343
BFP760 Datasheet (PDF)
..1. Size:831K infineon
bfp760.pdf
bfp760.pdf
BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050