BFP760 - описание и поиск аналогов

 

BFP760. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFP760

Маркировка: R6*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP760

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP760 даташит

 ..1. Size:831K  infineon
 bfp760.pdf pdf_icon

BFP760

BFP760 Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor Data Sheet Revision 1.1, 2013-08-05 RF & Protection Devices Edition 2013-08-05 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic

Другие транзисторы... BFP650F , BFP720 , BFP720ESD , BFP720F , BFP720FESD , BFP740ESD , BFP740F , BFP740FESD , 2SC2625 , BFP780 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD , BFP843 , BFP843F , BFQ790 , BFR193F .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.