Биполярный транзистор BFP760 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP760
Маркировка: R6*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT343
BFP760 Datasheet (PDF)
..1. Size:831K infineon
bfp760.pdf
bfp760.pdf
BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
