BFP760 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFP760  📄📄 

Código: R6*

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.24 W

Tensión colector-base (Vcb): 13 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 45000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT343

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BFP760 datasheet

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BFP760

BFP760 Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor Data Sheet Revision 1.1, 2013-08-05 RF & Protection Devices Edition 2013-08-05 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic

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