BFP760 Todos los transistores

 

BFP760 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFP760

Código: R6*

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.24 W

Tensión colector-base (Vcb): 13 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 45000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.13 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 160

Empaquetado / Estuche: SOT343

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BFP760 Datasheet (PDF)

..1. bfp760.pdf Size:831K _infineon

BFP760 BFP760

BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic

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