BFP760 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFP760
Código: R6*
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.24 W
Tensión colector-base (Vcb): 13 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 45000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: SOT343
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BFP760 Datasheet (PDF)
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BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
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