BFP760 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFP760
Código: R6*
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.24 W
Tensión colector-base (Vcb): 13 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 45000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: SOT343
- Selección de transistores por parámetros
BFP760 Datasheet (PDF)
bfp760.pdf

BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: IT121-71 | 2SD1039 | BUF650 | TMPC1622D6 | 2SC369G | KSD5016 | DTA143TKA
History: IT121-71 | 2SD1039 | BUF650 | TMPC1622D6 | 2SC369G | KSD5016 | DTA143TKA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320