BFP760 Todos los transistores

 

BFP760 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFP760
   Código: R6*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.24 W
   Tensión colector-base (Vcb): 13 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 45000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT343
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFP760 Datasheet (PDF)

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BFP760

BFP760Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2013-08-05RF & Protection DevicesEdition 2013-08-05Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristic

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History: IT121-71 | 2SD1039 | BUF650 | TMPC1622D6 | 2SC369G | KSD5016 | DTA143TKA

 

 
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