Биполярный транзистор BFP780 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP780
Маркировка: R1*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6.1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.37 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: SOT343
BFP780 Datasheet (PDF)
..1. Size:475K infineon
bfp780.pdf
bfp780.pdf
BFP780High linearity RF medium power transistorProduct descriptionThe BFP780 is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPNsilicon germanium technology.Feature list High maximum RF input power PRFin,max = 20 dBm Minimum noise figure NFmin = 1.2 dB at 900 MHz, 5 V, 30 mA OIP3 = 34.5 dBm at 900 MHz, 5 V, 90 mA OP1dB = 23 dBm at 900 MHz,
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
