BFP780 - описание и поиск аналогов

 

BFP780. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFP780

Маркировка: R1*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6.1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.37 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP780

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP780 даташит

 ..1. Size:475K  infineon
bfp780.pdfpdf_icon

BFP780

BFP780 High linearity RF medium power transistor Product description The BFP780 is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPN silicon germanium technology. Feature list High maximum RF input power PRFin,max = 20 dBm Minimum noise figure NFmin = 1.2 dB at 900 MHz, 5 V, 30 mA OIP3 = 34.5 dBm at 900 MHz, 5 V, 90 mA OP1dB = 23 dBm at 900 MHz,

Другие транзисторы... BFP720 , BFP720ESD , BFP720F , BFP720FESD , BFP740ESD , BFP740F , BFP740FESD , BFP760 , SS8050 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD , BFP843 , BFP843F , BFQ790 , BFR193F , BFR193L3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.