Биполярный транзистор BFP780 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP780
Маркировка: R1*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6.1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.37 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: SOT343
BFP780 Datasheet (PDF)
..1. Size:475K infineon
bfp780.pdf
bfp780.pdf
BFP780High linearity RF medium power transistorProduct descriptionThe BFP780 is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPNsilicon germanium technology.Feature list High maximum RF input power PRFin,max = 20 dBm Minimum noise figure NFmin = 1.2 dB at 900 MHz, 5 V, 30 mA OIP3 = 34.5 dBm at 900 MHz, 5 V, 90 mA OP1dB = 23 dBm at 900 MHz,
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050