BFP780 Todos los transistores

 

BFP780 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFP780
   Código: R1*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6.1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.37 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: SOT343

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BFP780 Datasheet (PDF)

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 bfp780.pdf

BFP780 BFP780

BFP780High linearity RF medium power transistorProduct descriptionThe BFP780 is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPNsilicon germanium technology.Feature list High maximum RF input power PRFin,max = 20 dBm Minimum noise figure NFmin = 1.2 dB at 900 MHz, 5 V, 30 mA OIP3 = 34.5 dBm at 900 MHz, 5 V, 90 mA OP1dB = 23 dBm at 900 MHz,

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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