BFP780 Todos los transistores

 

BFP780 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFP780
   Código: R1*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6.1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.37 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: SOT343
 

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BFP780 Datasheet (PDF)

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BFP780

BFP780High linearity RF medium power transistorProduct descriptionThe BFP780 is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPNsilicon germanium technology.Feature list High maximum RF input power PRFin,max = 20 dBm Minimum noise figure NFmin = 1.2 dB at 900 MHz, 5 V, 30 mA OIP3 = 34.5 dBm at 900 MHz, 5 V, 90 mA OP1dB = 23 dBm at 900 MHz,

Otros transistores... BFP720 , BFP720ESD , BFP720F , BFP720FESD , BFP740ESD , BFP740F , BFP740FESD , BFP760 , A1013 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD , BFP843 , BFP843F , BFQ790 , BFR193F , BFR193L3 .

History: SF357

 

 
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