BFP780 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFP780  📄📄 

Código: R1*

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 6.1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.37 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: SOT343

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BFP780 datasheet

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BFP780

BFP780 High linearity RF medium power transistor Product description The BFP780 is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPN silicon germanium technology. Feature list High maximum RF input power PRFin,max = 20 dBm Minimum noise figure NFmin = 1.2 dB at 900 MHz, 5 V, 30 mA OIP3 = 34.5 dBm at 900 MHz, 5 V, 90 mA OP1dB = 23 dBm at 900 MHz,

Otros transistores... BFP720, BFP720ESD, BFP720F, BFP720FESD, BFP740ESD, BFP740F, BFP740FESD, BFP760, BD777, BFP840ESD, BFP840FESD, BFP842ESD, BFP843, BFP843F, BFQ790, BFR193F, BFR193L3