Справочник транзисторов. BFP840FESD

 

Биполярный транзистор BFP840FESD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFP840FESD
   Маркировка: T8*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.038 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TSFP4-1

 Аналоги (замена) для BFP840FESD

 

 

BFP840FESD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  infineon
bfp840fesd.pdf

BFP840FESD
BFP840FESD

BFP840FESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP840FESD is a discrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 85 GHz to en

 8.1. Size:554K  infineon
bfp840esd.pdf

BFP840FESD
BFP840FESD

BFP840ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP840ESD is a discrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 80 GHz to enab

 9.1. Size:526K  infineon
bfp842esd.pdf

BFP840FESD
BFP840FESD

BFP842ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP842ESD is a high performance RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 2.3 - 3.5 GHz LNA applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 16 dBm maximum RF input power,1 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 5

 9.2. Size:528K  infineon
bfp843.pdf

BFP840FESD
BFP840FESD

BFP843Robust low noise broadband pre-matched RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP843 is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolartransistor (HBT).Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency enables best in class noise performanc

 9.3. Size:455K  infineon
bfp843f.pdf

BFP840FESD
BFP840FESD

BFP843FSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP843F is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolartransistor (HBT).Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency to enable best in class noise performance at high frequencies:

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top