BFP840FESD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP840FESD  📄📄 

Маркировка: T8*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.038 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TSFP4-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFP840FESD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP840FESD даташит

 ..1. Size:464K  infineon
 bfp840fesd.pdf pdf_icon

BFP840FESD

BFP840FESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP840FESD is a discrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 85 GHz to en

 8.1. Size:554K  infineon
 bfp840esd.pdf pdf_icon

BFP840FESD

BFP840ESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP840ESD is a discrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 80 GHz to enab

 9.1. Size:526K  infineon
 bfp842esd.pdf pdf_icon

BFP840FESD

BFP842ESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP842ESD is a high performance RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 2.3 - 3.5 GHz LNA applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 16 dBm maximum RF input power, 1 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 5

 9.2. Size:528K  infineon
 bfp843.pdf pdf_icon

BFP840FESD

BFP843 Robust low noise broadband pre-matched RF bipolar transistor Product description The BFP843 is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolar transistor (HBT). Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency enables best in class noise performanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFP720F, BFP720FESD, BFP740ESD, BFP740F, BFP740FESD, BFP760, BFP780, BFP840ESD, TIP35C, BFP842ESD, BFP843, BFP843F, BFQ790, BFR193F, BFR193L3, BFR193W, BFR360L3