BFR193W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFR193W

Маркировка: RC*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.74 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BFR193W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR193W даташит

 ..1. Size:56K  siemens
 bfr193w.pdf pdf_icon

BFR193W

BFR 193W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 193W RCs Q62702-F1510 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Col

 ..2. Size:655K  infineon
 bfr193w.pdf pdf_icon

BFR193W

BFR193W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers 3 2 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Pac

 8.1. Size:56K  siemens
 bfr193.pdf pdf_icon

BFR193W

BFR 193 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 193 RCs Q62702-F1218 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collec

 8.2. Size:536K  infineon
 bfr193f.pdf pdf_icon

BFR193W

BFR193F Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 2 3 For linear broadband amplifiers 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free product Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFP840ESD, BFP840FESD, BFP842ESD, BFP843, BFP843F, BFQ790, BFR193F, BFR193L3, 2SC2655, BFR360L3, BFR380F, BFR740EL3, BFR740L3RH, BFR840L3RHESD, BFR843EL3, SMBT3906L3, LBC856AWT1G