Справочник транзисторов. L2SC3356WT3G

 

Биполярный транзистор L2SC3356WT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SC3356WT3G
   Маркировка: 24
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SC70
 

 Аналог (замена) для L2SC3356WT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3356WT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  lrc
l2sc3356wt1g l2sc3356wt3g.pdfpdf_icon

L2SC3356WT3G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

 4.1. Size:167K  lrc
l2sc3356wt1g.pdfpdf_icon

L2SC3356WT3G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

 6.1. Size:140K  lrc
l2sc3356lt1g.pdfpdf_icon

L2SC3356WT3G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 6.2. Size:140K  lrc
l2sc3356lt1g l2sc3356lt3g.pdfpdf_icon

L2SC3356WT3G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: KU602 | TIP42G | 2SC4106 | L2SC4617QT3G | TIP533 | CHFMG5GP

 

 
Back to Top

 


 
.