Биполярный транзистор LBSS4350SY3T1G
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LBSS4350SY3T1G
Маркировка: A3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 148
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора:
SOT89
Аналоги (замена) для LBSS4350SY3T1G
LBSS4350SY3T1G
Datasheet (PDF)
..1. Size:763K lrc
lbss4350sy3t1g.pdf LBSS4350SY3T1GS-LBSS4350SY3T1GNPN TRANSISTOR121. FEATURES3Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.SOT89Large current capacity and wide ASO.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.2S- prefix for automotive and other applications requiringunique site and control chang
9.1. Size:827K lrc
lbss4250y3t1g.pdf LBSS4250Y3T1GS-LBSS4250Y3T1G1NPN 2.0A 50V Middle Power Transistor231. FEATURESSuitable for Middle Power DriverSOT89Complementary NPN TypesLow VCE(sat)We declare that the material of product compliance with2 RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring1unique site and control change requireme
9.2. Size:929K lrc
lbss4240lt1g.pdf LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistors40V,2A Low VCE(sat) NPN SiliconFEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat generation LBSS4240LT1G Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged S-LBSS4240LT1G transistors.3 We declare that the material of product complian
9.3. Size:309K lrc
lbss4240lt1g lbss4240lt3g.pdf LBSS4240LT1GS-LBSS4240LT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURESLow collector-emitter saturation voltageHigh current capabilityImproved device reliability due to reduced heat generationWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiringSOT23
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.