Биполярный транзистор LBSS5350SY3T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LBSS5350SY3T1G
Маркировка: D3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для LBSS5350SY3T1G
LBSS5350SY3T1G Datasheet (PDF)
lbss5350sy3t1g.pdf
LBSS5350SY3T1GS-LBSS5350SY3T1GPNP TRANSISTOR121. FEATURES3Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.SOT89Large current capacity and wide ASO.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.2S- prefix for automotive and other applications requiringunique site and control chang
lbss5240lt1g lbss5240lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistors-40V,-2A Low VCE(sat) PNP SiliconFEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat LBSS5240LT1G generationS-LBSS5240LT1G Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors.3 We declare that the material of product complian
lbss5250y3t1g.pdf
LBSS5250Y3T1GS-LBSS5250Y3T1GMidium Power PNP Transistors121. FEATURES3Low saturation voltage, typicallyHigh speed switchingSOT89We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring2unique site and control change requirements; AEC-Q101qualified and PPA
lbss5240lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistors-40V,-2A Low VCE(sat) PNP SiliconFEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat LBSS5240LT1G generationS-LBSS5240LT1G Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors.3 We declare that the material of product complian
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
