LBSS5350SY3T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBSS5350SY3T1G

Маркировка: D3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для LBSS5350SY3T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBSS5350SY3T1G даташит

 ..1. Size:564K  lrc
 lbss5350sy3t1g.pdf pdf_icon

LBSS5350SY3T1G

LBSS5350SY3T1G S-LBSS5350SY3T1G PNP TRANSISTOR 1 2 1. FEATURES 3 Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. SOT89 Large current capacity and wide ASO. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. 2 S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control chang

 9.1. Size:616K  lrc
 lbss5240lt1g lbss5240lt3g.pdf pdf_icon

LBSS5350SY3T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors -40V,-2A Low VCE(sat) PNP Silicon FEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat LBSS5240LT1G generation S-LBSS5240LT1G Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors. 3 We declare that the material of product complian

 9.2. Size:811K  lrc
 lbss5250y3t1g.pdf pdf_icon

LBSS5350SY3T1G

LBSS5250Y3T1G S-LBSS5250Y3T1G Midium Power PNP Transistors 1 2 1. FEATURES 3 Low saturation voltage, typically High speed switching SOT89 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring 2 unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPA

 9.3. Size:609K  lrc
 lbss5240lt1g.pdf pdf_icon

LBSS5350SY3T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors -40V,-2A Low VCE(sat) PNP Silicon FEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat LBSS5240LT1G generation S-LBSS5240LT1G Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors. 3 We declare that the material of product complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LBC859BLT1G, LBC859CLT1G, LBC859CLT3G, LBSS4240LT3G, LBSS4250Y3T1G, LBSS4350SY3T1G, LBSS5240LT3G, LBSS5250Y3T1G, 2N2907, LBTN180Y3T1G, LBTN180Z4TZHG, LBTP180Y3T1G, LBTP460Z4TZHG, LDTA114EET1G, LDTA114TET1G, LDTA114YET1G, LDTA115EET1G