Справочник транзисторов. LBTN180Y3T1G

 

Биполярный транзистор LBTN180Y3T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LBTN180Y3T1G
   Маркировка: B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для LBTN180Y3T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBTN180Y3T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  lrc
 lbtn180y3t1g.pdf pdf_icon

LBTN180Y3T1G

LBTN180Y3T1GS-LBTN180Y3T1GNPN power transistors121. FEATURES 3High currentHigh power dissipation capabilitySOT89We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring2unique site and control change requirements; AEC-Q101qualified and PPAP capable.12.

 7.1. Size:1078K  lrc
 lbtn180z4tzhg.pdf pdf_icon

LBTN180Y3T1G

LBTN180Z4TZHGS-LBTN180Z4TZHG80V NPN medium power transistors1. FEATURES High current Three current gain selections High power dissipation capability We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. SOT223 S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 q

Другие транзисторы... LBC859CLT1G , LBC859CLT3G , LBSS4240LT3G , LBSS4250Y3T1G , LBSS4350SY3T1G , LBSS5240LT3G , LBSS5250Y3T1G , LBSS5350SY3T1G , 13001-A , LBTN180Z4TZHG , LBTP180Y3T1G , LBTP460Z4TZHG , LDTA114EET1G , LDTA114TET1G , LDTA114YET1G , LDTA115EET1G , LDTA123EET1G .

 

 
Back to Top

 


 
.