Справочник транзисторов. LMBT2222ADW1T3G

 

Биполярный транзистор LMBT2222ADW1T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT2222ADW1T3G
   Маркировка: XX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC88
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT2222ADW1T3G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 1.1. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 5.1. Size:631K  lrc
lmbt2222alt1g lmbt2222alt3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LMBT2222ALT1GS-LMBT2222ALT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDev

 5.2. Size:62K  lrc
lmbt2222awt1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for generalpurpose amplifier applications. They are LMBT2222AWT1Ghoused in the SOT323/SC70 package whichS-LMBT2222AWT1Gis designed for low power surface mountapplications.We declare that the material of product 3compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive a

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SB1281

 

 
Back to Top

 


 
.