LMBT2222ADW1T3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT2222ADW1T3G

Маркировка: XX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88

 Аналоги (замена) для LMBT2222ADW1T3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT2222ADW1T3G даташит

 0.1. Size:250K  lrc
 lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdf pdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

 1.1. Size:250K  lrc
 lmbt2222adw1t1g.pdf pdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

 5.1. Size:631K  lrc
 lmbt2222alt1g lmbt2222alt3g.pdf pdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LMBT2222ALT1G S-LMBT2222ALT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Dev

 5.2. Size:62K  lrc
 lmbt2222awt1g.pdf pdf_icon

LMBT2222ADW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are LMBT2222AWT1G housed in the SOT 323/SC 70 package which S-LMBT2222AWT1G is designed for low power surface mount applications. We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LDTA144WET1G, LDTC144WM3T5G, LDTD123YLT1G, LDTD123YLT3G, LH8050PLT3G, LH8050QLT3G, LH8550PLT3G, LH8550QLT3G, 2N5401, LMBT2222ALT3G, LMBT2222ATT3G, LMBT2907ALT3G, LMBT2907AWT3G, LMBT2907LT1G, LMBT2907LT3G, LMBT3904DW1T3G, LMBT3904LT3G