LMBT3904LT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT3904LT3G

Маркировка: 1AM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT3904LT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3904LT3G даташит

 ..1. Size:643K  lrc
lmbt3904lt1g lmbt3904lt3g s-lmbt3904lt1g s-lmbt3904lt3g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a LMBT3904LT1G Pb-Free Lead Finish S-LMBT3904LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 3 PPAP Capable

 ..2. Size:358K  lrc
lmbt3904lt1g lmbt3904lt3g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT3G

LMBT3904LT1G S-LMBT3904LT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Devic

 4.1. Size:590K  lrc
lmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES LMBT3904LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. S-LMBT3904LT1G 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALU

 4.2. Size:243K  inchange semiconductor
lmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT3G

isc Silicon NPN RF Transistor LMBT3904LT1G DESCRIPTION Low Noise Figure NF = 5 dB(MAX) @V =5.0V, f=10Hz to 15.7kHz, I =100uA, R =1.0k CE C S Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: LMBT2222ADW1T3G, LMBT2222ALT3G, LMBT2222ATT3G, LMBT2907ALT3G, LMBT2907AWT3G, LMBT2907LT1G, LMBT2907LT3G, LMBT3904DW1T3G, TIP122, LMBT3904TT3G, LMBT3904WT3G, LMBT3906LT3G, LMBT3906N3T5G, LMBT3906TT3G, LMBT3906WT3G, LMBT3946DW1T1G, LMBT3946DW1T3G