LMBT5401DW1T3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT5401DW1T3G

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для LMBT5401DW1T3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT5401DW1T3G даташит

 ..1. Size:212K  lrc
 lmbt5401dw1t1g lmbt5401dw1t3g.pdf pdf_icon

LMBT5401DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5401DW1T1G FEATURE S-LMBT5401DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 5 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 4 De

 2.1. Size:212K  lrc
 lmbt5401dw1t1g.pdf pdf_icon

LMBT5401DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5401DW1T1G FEATURE S-LMBT5401DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 5 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 4 De

 6.1. Size:122K  lrc
 lmbt5401lt1g.pdf pdf_icon

LMBT5401DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5401LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and S-LMBT5401LT1G Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 LMBT5401LT1G

 6.2. Size:122K  lrc
 lmbt5401lt1g lmbt5401lt3g.pdf pdf_icon

LMBT5401DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5401LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and S-LMBT5401LT1G Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 LMBT5401LT1G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBT3906N3T5G, LMBT3906TT3G, LMBT3906WT3G, LMBT3946DW1T1G, LMBT3946DW1T3G, LMBT4401LT3G, LMBT4401WT3G, LMBT4403LT3, 2N2222A, LMBT5401LT3G, LMBT5541DW1T3G, LMBT5550LT1G, LMBT5550LT3G, LMBT5551DW1T3G, LMBT5551LT3G, LMBT6428LT3G, LMBT6517LT3G