Справочник транзисторов. KBT5551C

 

Биполярный транзистор KBT5551C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KBT5551C
   Маркировка: FNF*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для KBT5551C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KBT5551C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6779K  kodenshi
kbt5551c.pdfpdf_icon

KBT5551C

KBT5551C NPN Silicon Transistor 2018.0302 2018.0302 2018.0302 2018.0302 1 000 2018.03.02 AUK Dalian 1 KBT5551C NPN Silicon Transistor Descriptions General purpose ampli

Другие транзисторы... KBC807-40 , KBC817-16 , KBC817-25 , KBC817-40 , KBT2222AC , KBT2907AC , KBT3904C , KBT5401C , 2SD669A , KC5343S , KC5344S , KS8050L-B , KS8050L-C , KS8050L-D , KS8550L-B , KS8550L-C , KS8550L-D .

History: CK66

 

 
Back to Top

 


 
.