KBT5551C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KBT5551C
Código: FNF*
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Caja (carcasa): SOT23
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KBT5551C Datasheet (PDF)
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KBT5551C NPN Silicon Transistor 2018.0302 2018.0302 2018.0302 2018.0302 1 000 2018.03.02 AUK Dalian 1 KBT5551C NPN Silicon Transistor Descriptions General purpose ampli
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Liste
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