KBT5551C Todos los transistores

 

KBT5551C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KBT5551C

Código: FNF*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Paquete / Caja (carcasa): SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KBT5551C

 

KBT5551C Datasheet (PDF)

..1. kbt5551c.pdf Size:6779K _kodenshi

KBT5551C
KBT5551C

KBT5551C NPN Silicon Transistor 2018.0302 2018.0302 2018.0302 2018.0302 1 000 2018.03.02 AUK Dalian 1 KBT5551C NPN Silicon Transistor Descriptions General purpose ampli

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