Справочник транзисторов. MSB1218A

 

Биполярный транзистор MSB1218A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSB1218A
   Маркировка: BR*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для MSB1218A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSB1218A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  motorola
 msb1218a.pdf pdf_icon

MSB1218A

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSB1218ART1/DPNP Silicon General PurposeMSB1218A-RT1Amplifier TransistorMSB1218A-ST1This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purposeMotorola Preferred Devicesamplifier applications. This device is housed in the SC70/SOT323 packagewhich is designed for low power surface mount appl

 ..2. Size:201K  onsemi
 msb1218a rt1g.pdf pdf_icon

MSB1218A

MSB1218A--RT1GPNP Silicon GeneralPurpose AmplifierTransistorThis PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in theSC--70/SOT--323 package which is designed for low power surfacehttp://onsemi.commount applications.COLLECTORFeatures3 High hFE, 210 -- 460 Low VCE(sat),

 0.1. Size:117K  onsemi
 msb1218a-rt1-d.pdf pdf_icon

MSB1218A

MSB1218A--RT1GPNP Silicon GeneralPurpose AmplifierTransistorThis PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in theSC--70/SOT--323 package which is designed for low power surfacehttp://onsemi.commount applications.COLLECTORFeatures3 High hFE, 210 -- 460 Low VCE(sat),

 0.2. Size:119K  onsemi
 msb1218a-rt1.pdf pdf_icon

MSB1218A

MSB1218A--RT1GPNP Silicon GeneralPurpose AmplifierTransistorThis PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in theSC--70/SOT--323 package which is designed for low power surfacehttp://onsemi.commount applications.COLLECTORFeatures3 High hFE, 210 -- 460 Low VCE(sat),

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBTH10-04LT1G , MMJT350 , MPSA42G , MPSA42RL1G , MPSA42RLRAG , MPSA42RLRMG , MPSA42RLRPG , MPSA42ZL1G , C5198 , MSB92AS1WT1G , MSC2712YT1G , MSD601-RT1 , MSD601-ST1 , NJV4030P , NJVMJB44H11 , NJVMJB45H11 , NJVMJD31CT4G-VF01 .

History: FJNS3208R | BLY30 | BF306 | 2SC3952 | GF502 | DDTB122JC | CMC7010A

 

 
Back to Top

 


 
.