Биполярный транзистор NSVS50031SB3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSVS50031SB3
Маркировка: HCE*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 380(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: CPH3
Аналоги (замена) для NSVS50031SB3
NSVS50031SB3 Datasheet (PDF)
nsvs50030sb3, nsvs50031sb3.pdf
NSVS50030SB3,NSVS50031SB3Bipolar Transistor (-)50 V,(-)3 A, Low VCE(sat),(PNP)NPN Singlewww.onsemi.comThis device is bipolar junction transistor featuring high current, lowsaturation voltage, and high speed switching.ELECTRICAL CONNECTIONSuitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter ofautomotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable.3 3Features1 1
nsvs50030sb3 nsvs50031sb3.pdf
NSVS50030SB3,NSVS50031SB3Bipolar Transistor (-)50 V,(-)3 A, Low VCE(sat),(PNP)NPN Singlewww.onsemi.comThis device is bipolar junction transistor featuring high current, lowsaturation voltage, and high speed switching.ELECTRICAL CONNECTIONSuitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter ofautomotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable.3 3Features1 1
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050