Справочник транзисторов. TIP116G

 

Биполярный транзистор TIP116G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TIP116G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

TIP116G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  onsemi
tip110 tip110g tip111 tip111g tip112 tip112g tip115 tip115g tip116 tip116g tip117 tip117g.pdf pdf_icon

TIP116G
TIP116G

TIP110, TIP111, TIP112(NPN); TIP115, TIP116,TIP117 (PNP)Plastic Medium-PowerComplementary Siliconwww.onsemi.comTransistorsDARLINGTONDesigned for general-purpose amplifier and low-speed switchingapplications. 2 AMPERECOMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain -hFE = 2500 (Typ) @ IC 60-80-100 VOLTS, 50 WATTS= 1.0 Adc Collector-Emitt

 8.1. Size:373K  mcc
tip115 tip116 tip117 to-220.pdf pdf_icon

TIP116G
TIP116G

MCCTIP115Micro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsTIP116CA 91311Phone: (818) 701-4933TIP117Fax: (818) 701-4939Features High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4.0V, IC=1.0A(Min.) Low Collector-Emitter Saturation VoltagePNP Epitaxial Complementary to TIP110/111/112 Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("

 8.2. Size:213K  inchange semiconductor
tip116.pdf pdf_icon

TIP116G
TIP116G

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP116DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -1AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -80V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.5V(Max)@ I = -2ACE(sat) CComplement to Type TIP111Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICAT

 9.1. Size:269K  motorola
tip110re.pdf pdf_icon

TIP116G
TIP116G

Order this documentMOTOROLAby TIP110/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPlastic Medium-PowerNPNTIP110Complementary Silicon Transistors. . . designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.TIP111* High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.0 Adc CollectorEmitter Sustaining Voltage @ 30 mAdcTIP112*VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top