Биполярный транзистор BCM856DS-DG - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCM856DS-DG
Маркировка: R9
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT457
Аналоги (замена) для BCM856DS-DG
BCM856DS-DG Datasheet (PDF)
bcm856bs bcm856bs-dg bcm856ds bcm856ds-dg.pdf
BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DGPNP/PNP matched double transistorsRev. 01 7 August 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors are fully isolated internally.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNexperia JEITA
bcm856bs bcm856ds.pdf
BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DGPNP/PNP matched double transistorsRev. 01 7 August 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors are fully isolated internally.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNXP JEITABCM
bcm856bs bcm856ds.pdf
BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DGPNP/PNP matched double transistorsRev. 01 7 August 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors are fully isolated internally.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNXP JEITABCM
bcm856s.pdf
BCM856SPNP Silicon AF Transistor Array Precision matched transistor pair: IC 10%453 For current mirror applications621 Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated Transistors Complementary type: BCM846S BC856S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualif
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2N3776
History: 2N3776
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050