Справочник транзисторов. BCM856DS-DG

 

Биполярный транзистор BCM856DS-DG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCM856DS-DG
   Маркировка: R9
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT457
 

 Аналог (замена) для BCM856DS-DG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCM856DS-DG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  nxp
 bcm856bs bcm856bs-dg bcm856ds bcm856ds-dg.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DGPNP/PNP matched double transistorsRev. 01 7 August 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors are fully isolated internally.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNexperia JEITA

 6.1. Size:104K  philips
 bcm856bs bcm856ds.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DGPNP/PNP matched double transistorsRev. 01 7 August 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors are fully isolated internally.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNXP JEITABCM

 6.2. Size:104K  nxp
 bcm856bs bcm856ds.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DGPNP/PNP matched double transistorsRev. 01 7 August 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors are fully isolated internally.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNXP JEITABCM

 8.1. Size:542K  infineon
 bcm856s.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856SPNP Silicon AF Transistor Array Precision matched transistor pair: IC 10%453 For current mirror applications621 Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated Transistors Complementary type: BCM846S BC856S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BC857AQA , BC857BQA , BC857CQA , BC857RA , BCM53DS , BCM56DS , BCM847QAS , BCM856BS-DG , 2SA1837 , BCM857QAS , BCP51-10T , BCP51-16T , BCP51T , BCP52-10T , BCP52-16T , BCP52T , BCP53-10H .

History: 2SC3787T | KSC2258Y | MMS9013-H | KSB1121R | AM83135-001 | T2018 | CD2087

 

 
Back to Top

 


 
.