BCM856DS-DG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCM856DS-DG  📄📄 

Маркировка: R9

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT457

 Аналоги (замена) для BCM856DS-DG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCM856DS-DG даташит

 ..1. Size:642K  nxp
 bcm856bs bcm856bs-dg bcm856ds bcm856ds-dg.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856BS; BCM856BS/DG BCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Rev. 01 7 August 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration Nexperia JEITA

 6.1. Size:104K  philips
 bcm856bs bcm856ds.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856BS; BCM856BS/DG BCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Rev. 01 7 August 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration NXP JEITA BCM

 6.2. Size:104K  nxp
 bcm856bs bcm856ds.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856BS; BCM856BS/DG BCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Rev. 01 7 August 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration NXP JEITA BCM

 8.1. Size:542K  infineon
 bcm856s.pdf pdf_icon

BCM856DS-DG

BCM856S PNP Silicon AF Transistor Array Precision matched transistor pair IC 10% 4 5 3 For current mirror applications 6 2 1 Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated Transistors Complementary type BCM846S BC856S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC857AQA, BC857BQA, BC857CQA, BC857RA, BCM53DS, BCM56DS, BCM847QAS, BCM856BS-DG, MJE340, BCM857QAS, BCP51-10T, BCP51-16T, BCP51T, BCP52-10T, BCP52-16T, BCP52T, BCP53-10H