Биполярный транзистор PBHV8515QA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBHV8515QA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.325 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT1215
Аналог (замена) для PBHV8515QA
PBHV8515QA Datasheet (PDF)
pbhv8515qa.pdf

PBHV8515QA150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor19 November 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packagewith visible and solderable side pads.PNP complement: PBHV9515QA.2. Features and benefits
pbhv8540t.pdf

PBHV8540T500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 14 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040T.1.2 Features High voltage Low collector-emitter sa
pbhv8540x.pdf

PBHV8540X500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor5 December 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89(SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040X.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter
pbhv8540z.pdf

PBHV8540Z500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitt
Другие транзисторы... BCX56-10T , BCX56-16T , BCX56T , BFU725F-N1 , MJD31CA , MJD44H11A , NMB2227A , PBHV8115TLH , B647 , PBHV9115TLH , PBHV9540X , PBSS2515MB , PBSS4160X , PBSS4220PANS , PBSS4260PANS , PBSS4360PAS , PBSS4360X .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c