PBHV8515QA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBHV8515QA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.325 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT1215

 Аналоги (замена) для PBHV8515QA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8515QA даташит

 ..1. Size:724K  nxp
 pbhv8515qa.pdf pdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8515QA 150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 19 November 2015 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP complement PBHV9515QA. 2. Features and benefits

 8.1. Size:108K  philips
 pbhv8540t.pdf pdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8540T 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 14 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter sa

 8.2. Size:236K  nxp
 pbhv8540x.pdf pdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8540X 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 5 December 2013 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040X. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter

 8.3. Size:120K  nxp
 pbhv8540z.pdf pdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8540Z 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCX56-10T, BCX56-16T, BCX56T, BFU725F-N1, MJD31CA, MJD44H11A, NMB2227A, PBHV8115TLH, 2SC828, PBHV9115TLH, PBHV9540X, PBSS2515MB, PBSS4160X, PBSS4220PANS, PBSS4260PANS, PBSS4360PAS, PBSS4360X