Справочник транзисторов. PBHV8515QA

 

Биполярный транзистор PBHV8515QA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBHV8515QA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.325 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT1215
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8515QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  nxp
pbhv8515qa.pdfpdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8515QA150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor19 November 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packagewith visible and solderable side pads.PNP complement: PBHV9515QA.2. Features and benefits

 8.1. Size:108K  philips
pbhv8540t.pdfpdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8540T500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 14 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040T.1.2 Features High voltage Low collector-emitter sa

 8.2. Size:236K  nxp
pbhv8540x.pdfpdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8540X500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor5 December 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89(SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040X.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter

 8.3. Size:120K  nxp
pbhv8540z.pdfpdf_icon

PBHV8515QA

PBHV8540Z500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitt

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 40475 | BFG520-X | PN3827 | ZTX107C | CMPT2222AE | BCY30A

 

 
Back to Top

 


 
.