Биполярный транзистор PBHV9540X Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBHV9540X
Маркировка: *4H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.52 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBHV9540X Datasheet (PDF)
pbhv9540x.pdf

PBHV9540X400 V, 0.5 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor28 September 2017 Product data sheet1. General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62)medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8540X2. Features and benefits High voltage Low collector-emitte
pbhv9540z.pdf

PBHV9540Z500 V, 0.5 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8140Z.1.2 Features High voltage Low collector-emi
pbhv9540z.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbhv9560z.pdf

PBHV9560Z600 V, 0.5 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor12 August 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a mediumpower SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8560Z2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation vol
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZTX302M | NSVF4009SG4
History: ZTX302M | NSVF4009SG4



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent