PBSS4260PANS - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PBSS4260PANS. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS4260PANS
   Маркировка: 3L
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT1118D

 Аналоги (замена) для PBSS4260PANS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4260PANS даташит

 ..1. Size:734K  nxp
 pbss4260pans.pdf pdf_icon

PBSS4260PANS

PBSS4260PANS 60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) double transistor 15 December 2015 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP/PNP complement PBSS5260PAPS 2. Features and benefits

 3.1. Size:249K  nxp
 pbss4260pan.pdf pdf_icon

PBSS4260PANS

PBSS4260PAN 60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 12 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4260PANP. PNP/PNP complement PBSS5260PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 3.2. Size:340K  nxp
 pbss4260panp.pdf pdf_icon

PBSS4260PANS

PBSS4260PANP 60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 12 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement PBSS4260PAN. PNP/PNP complement PBSS5260PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 6.1. Size:244K  nxp
 pbss4260qa.pdf pdf_icon

PBSS4260PANS

PBSS4260QA 60 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 28 August 2013 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP complement PBSS5260QA. 2. Features and benefits Very low collector-emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NMB2227A , PBHV8115TLH , PBHV8515QA , PBHV9115TLH , PBHV9540X , PBSS2515MB , PBSS4160X , PBSS4220PANS , BD136 , PBSS4360PAS , PBSS4360X , PBSS5220PAPS , PBSS5250TH , PBSS5255PAPS , PBSS5260PAPS , PBSS5350TH , PBSS5360PAS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.