Биполярный транзистор PBSS5350TH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS5350TH
Маркировка: FJ*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PBSS5350TH
PBSS5350TH Datasheet (PDF)
pbss5350th.pdf
PBSS5350TH50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor21 June 2017 Product data sheet1. General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM High collect
pbss5350t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5350T50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 13Supersedes data of 2002 Aug 08NXP Semiconductors Product data sheet50 V, 3 A PBSS5350TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNITcorresponding low RCEsa
pbss5350t.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss5350t.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsPBSS5350T (KBSS5350T)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features High collector current capability High collector current gain1 2 Improved efficiency due to reduced heat generation.+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and+0.11.9-0.1 corresponding low RCEsat
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050