Справочник транзисторов. PDTA114EQA

 

Биполярный транзистор PDTA114EQA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA114EQA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT1215
 

 Аналог (замена) для PDTA114EQA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114EQA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2803K  nxp
pdta143eqa pdta114eqa pdta124eqa pdta144eqa.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

PDTA143/114/124/144EQA series50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsRev. 1 18 December 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.Table 1. Product overviewType nu

 6.1. Size:58K  motorola
pdta114eu 6.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTA114EUPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.2. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA114EEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 21Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)1

 6.3. Size:58K  motorola
pdta114es 2.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTA114ESPNP resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 02File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114ESFEATURES Built-in bias resistorsR1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN1414 | FJV4105R

 

 
Back to Top

 


 
.