PDTA114EQA - описание и поиск аналогов

 

PDTA114EQA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA114EQA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT1215

 Аналоги (замена) для PDTA114EQA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114EQA - технические параметры

 ..1. Size:2803K  nxp
pdta143eqa pdta114eqa pdta124eqa pdta144eqa.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

PDTA143/114/124/144EQA series 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 18 December 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. Table 1. Product overview Type nu

 6.1. Size:58K  motorola
pdta114eu 6.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.2. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 6.3. Size:58K  motorola
pdta114es 2.pdfpdf_icon

PDTA114EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

Другие транзисторы... PBSS4360X , PBSS5220PAPS , PBSS5250TH , PBSS5255PAPS , PBSS5260PAPS , PBSS5350TH , PBSS5360PAS , PBSS5360X , TIP41C , PDTA114TMB , PDTA114YQA , PDTA115EMB , PDTA115TMB , PDTA123JQA , PDTA123TMB , PDTA123YMB , PDTA124EMB .

 

 
Back to Top

 


 
.