PDTA115EMB - описание и поиск аналогов

 

PDTA115EMB - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA115EMB
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT883B

 Аналоги (замена) для PDTA115EMB

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA115EMB - технические параметры

 ..1. Size:954K  nxp
 pdta115emb.pdf pdf_icon

PDTA115EMB

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.1. Size:417K  nxp
 pdta115ee pdta115eef pdta115ek pdta115em pdta115es pdta115et pdta115eu.pdf pdf_icon

PDTA115EMB

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:183K  philips
 pdta115e series.pdf pdf_icon

PDTA115EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA115E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Jul 30 Supersedes data of 2004 May 05 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.2. Size:139K  nxp
 pdta115eef pdta115ek pdta115es.pdf pdf_icon

PDTA115EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA115E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Jul 30 Supersedes data of 2004 May 05 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS5255PAPS , PBSS5260PAPS , PBSS5350TH , PBSS5360PAS , PBSS5360X , PDTA114EQA , PDTA114TMB , PDTA114YQA , 2N2222 , PDTA115TMB , PDTA123JQA , PDTA123TMB , PDTA123YMB , PDTA124EMB , PDTA124EQA , PDTA143EQA , PDTA143XQA .

 

 
Back to Top

 


 
.