PDTA123JQA - описание и поиск аналогов

 

PDTA123JQA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA123JQA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT1215

 Аналоги (замена) для PDTA123JQA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123JQA - технические параметры

 ..1. Size:2790K  nxp
pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

PDTA143X/123J/143Z/114YQA series 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 30 October 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. Table 1. Product overview Type

 6.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.2. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

 6.3. Size:56K  motorola
pdta123jt 1.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123JT PNP resistor-equipped transistor 1999 May 27 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JT FEATURES Built-in bias resistors (typ 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3 Reduces number

Другие транзисторы... PBSS5350TH , PBSS5360PAS , PBSS5360X , PDTA114EQA , PDTA114TMB , PDTA114YQA , PDTA115EMB , PDTA115TMB , C945 , PDTA123TMB , PDTA123YMB , PDTA124EMB , PDTA124EQA , PDTA143EQA , PDTA143XQA , PDTA143ZQA , PDTA144EQA .

History: BD536K

 

 
Back to Top

 


 
.