PDTA123JQA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA123JQA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT1215

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA123JQA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123JQA даташит

 ..1. Size:2790K  nxp
pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

PDTA143X/123J/143Z/114YQA series 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 30 October 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. Table 1. Product overview Type

 6.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.2. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

 6.3. Size:56K  motorola
pdta123jt 1.pdfpdf_icon

PDTA123JQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123JT PNP resistor-equipped transistor 1999 May 27 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JT FEATURES Built-in bias resistors (typ 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3 Reduces number

Другие транзисторы: PBSS5350TH, PBSS5360PAS, PBSS5360X, PDTA114EQA, PDTA114TMB, PDTA114YQA, PDTA115EMB, PDTA115TMB, C945, PDTA123TMB, PDTA123YMB, PDTA124EMB, PDTA124EQA, PDTA143EQA, PDTA143XQA, PDTA143ZQA, PDTA144EQA