PDTA143EQA - описание и поиск аналогов

 

PDTA143EQA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA143EQA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT1215

 Аналоги (замена) для PDTA143EQA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA143EQA - технические параметры

 ..1. Size:2803K  nxp
 pdta143eqa pdta114eqa pdta124eqa pdta144eqa.pdf pdf_icon

PDTA143EQA

PDTA143/114/124/144EQA series 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 18 December 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. Table 1. Product overview Type nu

 6.1. Size:58K  motorola
 pdta143eu 4.pdf pdf_icon

PDTA143EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA143EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.2. Size:57K  motorola
 pdta143ee 2.pdf pdf_icon

PDTA143EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA143EE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification of circuit design

 6.3. Size:56K  motorola
 pdta143et 4.pdf pdf_icon

PDTA143EQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA143ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTA114YQA , PDTA115EMB , PDTA115TMB , PDTA123JQA , PDTA123TMB , PDTA123YMB , PDTA124EMB , PDTA124EQA , TIP41 , PDTA143XQA , PDTA143ZQA , PDTA144EQA , PDTA144TMB , PHPT61002NYCLH , PHPT61002PYCLH , PMBT2222AM , PMBT2222AMB .

 

 
Back to Top

 


 
.