Биполярный транзистор RF3356 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RF3356
Маркировка: R25
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
Корпус транзистора: SOT23
RF3356 Datasheet (PDF)
..1. rf3356.pdf Size:604K _mcc
RF3356Features High Power Gain Low Noise Figure High Cut-off FrequencyNPN RF Wideband Amplifiers and Oscillators.RF Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Moisture Sensitivity Level 1 Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Informa
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SB817 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: UMT4401U3 | UMF28N | SST2907AHZG | SST2222AHZG | LSCR523EBFS8 | EMX4 | DTD143ECHZG | DTA115EUB | BC857BHZG | BC847BU3 | BC847BHZG | 2SCR574D3FRA | 2SCR573D3 | 2SCR572D3FRA | 2SCR572D3 | 2SCR554P5 | 2SCR544P5 | 2SCR533P5 | 2SCR513P5 | 2SCR512P5 | 2SCR502U3HZG