RF3356 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RF3356  📄📄 

Маркировка: R25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RF3356

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RF3356 даташит

 ..1. Size:604K  mcc
 rf3356.pdf pdf_icon

RF3356

RF3356 Features High Power Gain Low Noise Figure High Cut-off Frequency NPN RF Wideband Amplifiers and Oscillators. RF Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Moisture Sensitivity Level 1 Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Informa

Другие транзисторы: MMBT3904HE3, MMBT3904L3, MMBT3906HE3, MMBT3906L3, MMS8050, MMS8550, MMS9014, MMS9015, TIP31, 2222A, 5401, 5551, MOT13003C, MOT13003D, 2SA1015-MS, 2SB772-MS, 2SC1623-MS