Биполярный транзистор 2SC1623L6-T3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1623L6-T3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250(typ) MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2SC1623L6-T3
2SC1623L6-T3 Datasheet (PDF)
2sc1623l4-t3 2sc1623l5-t3 2sc1623l6-t3 2sc1623l7-t3.pdf
2SC1623PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS NPN Silicon FEATURES High DC Current GainhFE=200(Typ.) VCE=6V, IC=1mA High VoltageVCEO = 50V MECHANICAL DATA Available in SOT-23 Package SolderabilityMIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance ORDERING INFORMATION PART NUMBER PACKAGE SHIPPING MARKING 2SC1623--T3 SOT-23 Tape Reel See Classifica
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf
2SC1623TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN)FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA High voltage:VCEO=50V MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) SOT-23 Symbol Parameter Value UnitVCBO 60 V Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage 1. BASE VEBO Emitter-Base Voltage 5 V2. EMITTER 3. COLLECTOR IC Collector Current -C
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf
RUMW UMW 2SC1623SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-23 2SC1623 TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1. BASE High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA 2. EMITTER High voltage:VCEO=50V 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO 60 VCollector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitte
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD 2SC16232SC1623 SOT-23NPN TRANSISTOR3FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA High voltage:VCEO=50V 12MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)1.BASESymbolParameter Value Unit 2.EMITTER3.COLLECTORCollectorBase Voltage VCBO 60 VCollectorEmit
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf
2SC1623SOT323 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ)VCE=6V, IC=1mA High voltage:VCEO=50V 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit3. COLLECTOR VCBO 60 VCollector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current -Continuous 100 m
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050