2SAR572D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SAR572D3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 2SAR572D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SAR572D3 даташит

 ..1. Size:1659K  rohm
 2sar572d3.pdf pdf_icon

2SAR572D3

2SAR572D3 PNP -5.0A -30V Power Transistor Datasheet lOutline l Parameter Value DPAK VCEO -30V IC -5A TO-252 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary NPN Types 2SCR572D3. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-2A/-100mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging spec

 6.1. Size:800K  rohm
 2sar572d.pdf pdf_icon

2SAR572D3

2SAR572D Datasheet PNP -5.0A -30V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO -30V IC -5A 2SAR572D lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary NPN Types 2SCR572D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.40V(Max.). (IC/IB=-2A/-100mA) 4) Lead

 6.2. Size:177K  inchange semiconductor
 2sar572d.pdf pdf_icon

2SAR572D3

isc Silicon PNP Power Transistor 2SAR572D DESCRIPTION Suitable for middle power drivers Low V CE(sat) V -0.4V@(I =-2A,I =-0.1A) CE(sat) C B Complementary NPN types 2SCR572D 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 8.1. Size:1463K  rohm
 2sar573dfhg.pdf pdf_icon

2SAR572D3

2SAR573D FHG Datasheet PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline l TO-252 Parameter Value SC-63 VCEO -50V IC -3A CPT lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Complementary NPN Types 2SCR573D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.40V(Max.). (IC/IB=-1A/-50mA) lApplication l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SAR502U3, 2SAR512P5, 2SAR513P5, 2SAR533P5, 2SAR552P5, 2SAR553P5, 2SAR553PHZG, 2SAR554P5, 2N2222A, 2SC4081U3, 2SC4081U3HZG, 2SC5876U3, 2SCR293P5, 2SCR346P, 2SCR502U3HZG, 2SCR512P5, 2SCR513P5