2SCR533P5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SCR533P5  📄📄 

Маркировка: NM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SCR533P5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR533P5 даташит

 ..1. Size:1805K  rohm
 2scr533p5.pdf pdf_icon

2SCR533P5

2SCR533P5 Datasheet Middle Power Transistors (50V / 3A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 50V IC 3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage, typically VCE(sat)=350mV(Max.) (IC/IB=1A/50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specificati

 6.1. Size:1910K  rohm
 2scr533p.pdf pdf_icon

2SCR533P5

2SCR533P Datasheet Middle Power Transistors (50V / 3A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 50V IC 3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage, typically VCE(sat)=350mV(Max.) (IC/IB=1A/50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

 6.2. Size:1548K  rohm
 2scr533pfra.pdf pdf_icon

2SCR533P5

2SCR533P FRA Datasheet Middle Power Transistor (50V / 3A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 50V IC 3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage, typically VCE(sat)=350mV(Max.) (IC/IB=1A/50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

 7.1. Size:486K  rohm
 2scr533d.pdf pdf_icon

2SCR533P5

Midium Power Transistors (50V / 3A) 2SCR533D Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor CPT3 (SC-63) Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) 2) High speed switching 9 (1) Base Applications (2) Collector (3) Emitter Driv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4081U3, 2SC4081U3HZG, 2SC5876U3, 2SCR293P5, 2SCR346P, 2SCR502U3HZG, 2SCR512P5, 2SCR513P5, 2SC4793, 2SCR544P5, 2SCR554P5, 2SCR572D3, 2SCR572D3FRA, 2SCR573D3, 2SCR574D3FRA, BC847BHZG, BC847BU3