2SB806-KR datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SB806-KR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB806-KR

Маркировка: KR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для 2SB806-KR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SB806-KR даташит

..1. Size:661K cn shikues
2sb806-kr 2sb806-kq 2sb806-kp.pdf pdf_icon

8.1. Size:234K nec
2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

8.2. Size:817K kexin
2sb806.pdf pdf_icon

SMD Type Transistors SMD Type PNP Tr ansistors 2SB806 Features Classification of hfe(1) 1.70 0.1 High collector to emitter voltage VCEO -120V. = 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -120 V Collector-emitter voltage VCEO -120 V Emitter-base voltage VEBO -5 V C

9.1. Size:211K nec
2sb800.pdf pdf_icon