Справочник транзисторов. 2SB806-KR

 

Биполярный транзистор 2SB806-KR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB806-KR
   Маркировка: KR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SB806-KR

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB806-KR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  cn shikues
 2sb806-kr 2sb806-kq 2sb806-kp.pdf pdf_icon

2SB806-KR

 8.1. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806-KR

 8.2. Size:817K  kexin
 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806-KR

SMD Type TransistorsSMD TypePNP Transistors2SB806 Features Classification of hfe(1)1.70 0.1 High collector to emitter voltage: VCEO -120V. =0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VC

 9.1. Size:211K  nec
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB806-KR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BC513A | ECG2341 | 2N5162 | 2S188

 

 
Back to Top

 


 
.