A1015L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: A1015L
Маркировка: BA
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для A1015L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
A1015L даташит
a1015l.pdf
A1015 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor SOT-23 FEATURES High voltage and high current Excellent hFE Linearity Complementary to C1815 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collecto
2sa1015l.pdf
2SA1015(L) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1015(L) Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Low Noise Amplifier Applications High voltage and high current VCEO = -50 V (min), I = -150 mA (max) C Excellent h linearity h (2) = 80 (typ.) at V = -6 V, I = -150 mA FE FE CE C hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)
a1015lt1.pdf
A1015LT1 A1015LT1 TRANSISTOR (PNP) * G Lead(Pb)-Free SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 2. 4 Collector current 1. 3 ICM -0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO -50 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Tstg -55 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless
Другие транзисторы: 2SD2150R, 2SD2150S, 2SD874A-Q, 2SD874A-R, 2SD874A-S, 2SD965-R, 2SD965-S, A1015H, BC327, B722S-E, B722S-P, B722S-Q, B722S-R, B772GR, B772O, B772R, B772Y
History: A1015H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31







