Биполярный транзистор B772GR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: B772GR
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89-3L
B772GR Datasheet (PDF)
b772r b772o b772y b772gr.pdf
B772 TRANSISTOR PNPFEATURES Low speed switching SOT-89 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 1. BASESymbol Parameter Value Units2. COLLECTORVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V 3. EMITTERVEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -3 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W Tj Junction Tempera
b772r b772o b772y b772gr.pdf
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate PNP Transistors EncapsulateFEATURE Low speed switching MARKING:B772 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 unless otherwise specified) 1 of 2 2 of 2
b772r b772o b772y b772gr.pdf
B772 SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTORPNPSOT-89-3L FEATURE Low speed switching 1. BASEMARKING:B772 2. COLLETOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit3. EMITTERVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -3 A PC C
b772r b772o b772y b772gr.pdf
B772 TRANSISTORPNPSOT-89FEATURE Low speed switching 1. BASEMARKING:B772 2. COLLETOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit3. EMITTERVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -3 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W Thermal Res
b772r b772o b772y b772gr.pdf
B772 TRANSISTOR(PNP)SOT-89-3L SOT-89-3LSOT-89-3LPlastic-Encapsulate Transistors Features Low speed switching Power Dissipation of 500mW High Stability and High Reliability Mechanical Data SOT-89-3L Outline Plastic Package Epoxy UL: 94V-0Marking: B772 Mounting Position: Any(TA = 25
2sb772gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD2SB772GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (SC-62/SOT-89)SC-62/SOT-89* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).4.6MAX. 1.6MAX.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050