Биполярный транзистор 2SC3181O
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3181O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30(typ)
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 190
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO3PI
Аналоги (замена) для 2SC3181O
2SC3181O
Datasheet (PDF)
..1. Size:178K cn sptech
2sc3181r 2sc3181o.pdf SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3181DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @I = 6ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1264APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 55W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
7.1. Size:90K toshiba
2sc3181.pdf This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
7.2. Size:195K jmnic
2sc3181n.pdf JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3181N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SA1264N APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol
7.3. Size:203K inchange semiconductor
2sc3181.pdf isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3181DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @I = 6ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1264Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 55W high fidelity audio frequencyamplifier output stage appl
7.4. Size:161K inchange semiconductor
2sc3181n.pdf Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3181N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SA1264N APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.