Справочник транзисторов. MJW0302A

 

Биполярный транзистор MJW0302A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MJW0302A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для MJW0302A

 

 

MJW0302A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
mjw0281a mjw0302a.pdf

MJW0302A
MJW0302A

MJW0281A (NPN)MJW0302A (PNP)Preferred DevicesComplementary NPN-PNPPower Bipolar TransistorsThese complementary devices are lower power versions of thepopular MJW3281A and MJW1302A audio output transistors. Withsuperior gain linearity and safe operating area performance, thesehttp://onsemi.comtransistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages andother linea

 ..2. Size:862K  cn sptech
mjw0302a.pdf

MJW0302A
MJW0302A

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor MJW0302ADESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

 0.1. Size:1718K  cn sps
mjw0302at4tl.pdf

MJW0302A
MJW0302A

MJW0302AT4TLDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -250 VCBOV Collector-Emitter

 7.1. Size:969K  cn sptech
mjw0302g.pdf

MJW0302A
MJW0302A

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power TransistorMJW0302GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0281GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top