2SC3835T4TL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3835T4TL  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3835T4TL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3835T4TL даташит

 ..1. Size:1285K  cn sps
 2sc3835t4tl.pdf pdf_icon

2SC3835T4TL

2SC3835T4TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 0.5V(Max)@ I =3A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V (Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

 7.1. Size:120K  utc
 2sc3835.pdf pdf_icon

2SC3835T4TL

UTC 2SC3835 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCH NPN TRANSISTOR APLLICATION *Humidifier,DC-DC converter,and general purpose. 1 TO-3PN 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage VEBO 8 V Base Current IB 3 A Collector Current 7 A

 7.2. Size:117K  jmnic
 2sc3835.pdf pdf_icon

2SC3835T4TL

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistor 2SC3835 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFE APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBO

 7.3. Size:28K  sanken-ele
 2sc3835.pdf pdf_icon

2SC3835T4TL

2SC3835 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor) Application Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) External Dimensions MT-100(TO3P) Symbol Ratings Unit Unit Symbol Conditions Ratings 0.2 4.8 0.4 15.6 VCBO 200 VCB=200V 100max A 0.1 V ICBO 9.6 2.0 VCEO 120 IEBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1941T6TL, 2SA1943T7TL, 2SA940T1TL, 2SC2073T1TL, 2SC2246T3BL, 2SC2625T4TL, 2SC3320T4TL, 2SC3834T1TL, BC337, 2SC3856T4TL, 2SC3907T4TL, 2SC3997T7TL, 2SC3998T7TL, 2SC4110T4TL, 2SC4131T5TL, 2SC4237T8TL, 2SC4552T2TL