Справочник транзисторов. 2SC3856T4TL

 

Биполярный транзистор 2SC3856T4TL Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3856T4TL
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3PN
 

 Аналог (замена) для 2SC3856T4TL

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3856T4TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1824K  cn sps
 2sc3856t4tl.pdf pdf_icon

2SC3856T4TL

2SC3856T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1492APPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 200 VCBOV Collector-Emitter Voltage 180 VCEOV E

 7.1. Size:179K  jmnic
 2sc3856.pdf pdf_icon

2SC3856T4TL

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3856 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1492 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.2. Size:24K  sanken-ele
 2sc3856.pdf pdf_icon

2SC3856T4TL

2SC3856Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1492)Application : Audio and General PurposeExternal Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)SymbolSymbol 2SC3856 Unit Conditions 2SC3856 Unit0.24.80.415.6ICBO 0.1VCBO 200 V VCB=200V 100max A 9.6 2.0IEBOVCEO 180 V VEB=6V 100max

 7.3. Size:430K  cn sptech
 2sc3856o 2sc3856p 2sc3856y.pdf pdf_icon

2SC3856T4TL

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3856DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1492APPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 200 VCBOV Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1943T7TL , 2SA940T1TL , 2SC2073T1TL , 2SC2246T3BL , 2SC2625T4TL , 2SC3320T4TL , 2SC3834T1TL , 2SC3835T4TL , BD140 , 2SC3907T4TL , 2SC3997T7TL , 2SC3998T7TL , 2SC4110T4TL , 2SC4131T5TL , 2SC4237T8TL , 2SC4552T2TL , 2SC5027T1TL .

 

 
Back to Top

 


 
.