Справочник транзисторов. 2SC3998T7TL

 

Биполярный транзистор 2SC3998T7TL Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3998T7TL
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3PL
 

 Аналог (замена) для 2SC3998T7TL

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3998T7TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1278K  cn sps
 2sc3998t7tl.pdf pdf_icon

2SC3998T7TL

2SC3998T7TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Collector-Emitter Voltage 800 VCEOV Emitter-Base Voltage 6 VEBOI Collector

 7.1. Size:85K  sanyo
 2sc3998.pdf pdf_icon

2SC3998T7TL

Ordering number:EN2732NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3998Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed (tf=100ns typ).unit:mm High breakdown voltage (VCBO=1500V).2048B High reliability (adoption of HVP process).[2SC3998] Adoption of MBIT process.20.03.35.02.03.40.6

 7.2. Size:170K  cn sptech
 2sc3998.pdf pdf_icon

2SC3998T7TL

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3998DESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Collector-Emitter Voltage 800 VCEOV Emitter-Ba

 7.3. Size:634K  cn xch
 2sc3998.pdf pdf_icon

2SC3998T7TL

2SC3998NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorDESCRIPTION High speed High breakdown voltage High reliability (adoption of HVP process).Collector Adoption of MBIT process.BasePINNING EmitterPIN DESCRIPTIONEC 1 Base BCollector;connected to Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 2mounting base 3 Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC2246T3BL , 2SC2625T4TL , 2SC3320T4TL , 2SC3834T1TL , 2SC3835T4TL , 2SC3856T4TL , 2SC3907T4TL , 2SC3997T7TL , TIP3055 , 2SC4110T4TL , 2SC4131T5TL , 2SC4237T8TL , 2SC4552T2TL , 2SC5027T1TL , 2SC5198T7TL , 2SC5200T7TL , 2SC5570T7TL .

History: KT660A | 3DG2236 | UN2215R

 

 
Back to Top

 


 
.