Справочник транзисторов. MJW0302AT4TL

 

Биполярный транзистор MJW0302AT4TL Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJW0302AT4TL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO3PN
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW0302AT4TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1718K  cn sps
mjw0302at4tl.pdfpdf_icon

MJW0302AT4TL

MJW0302AT4TLDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -250 VCBOV Collector-Emitter

 6.1. Size:67K  onsemi
mjw0281a mjw0302a.pdfpdf_icon

MJW0302AT4TL

MJW0281A (NPN)MJW0302A (PNP)Preferred DevicesComplementary NPN-PNPPower Bipolar TransistorsThese complementary devices are lower power versions of thepopular MJW3281A and MJW1302A audio output transistors. Withsuperior gain linearity and safe operating area performance, thesehttp://onsemi.comtransistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages andother linea

 6.2. Size:862K  cn sptech
mjw0302a.pdfpdf_icon

MJW0302AT4TL

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor MJW0302ADESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

 7.1. Size:969K  cn sptech
mjw0302g.pdfpdf_icon

MJW0302AT4TL

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power TransistorMJW0302GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0281GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

Другие транзисторы... 2SC5570T7TL , BU406DT9TL , BU406T1TL , BU508AT4TL , BU941PT4TL , BU941TT1TL , FJL6920T7TL , MJW0281AT4TL , 2SC4793 , MJW3281AT4TL , NJW0281GT4TL , NJW0302GT4TL , NJW1302GT4TL , NJW3281GT4TL , TIP35CT4TL , TIP36CT4TL , CD568B .

History: MJF3055 | 2N944

 

 
Back to Top

 


 
.