Биполярный транзистор MJW3281AT4TL Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJW3281AT4TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO3PN
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MJW3281AT4TL Datasheet (PDF)
mjw3281at4tl.pdf

MJW3281AT4TLDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 230 VCBOV Collector-Emitter V
mjw3281a mjw1302a.pdf

MJW3281A (NPN)MJW1302A (PNP)Complementary NPN-PNPSilicon Power BipolarTransistorshttp://onsemi.comThe MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset powertransistors for high power audio, disk head positioners and other linear15 AMPERESapplications.COMPLEMENTARYFeaturesSILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary:
mjw3281ag.pdf

MJW3281A (NPN)MJW1302A (PNP)Complementary NPN-PNPSilicon Power BipolarTransistorshttp://onsemi.comThe MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset powertransistors for high power audio, disk head positioners and other linear15 AMPERESapplications.COMPLEMENTARYFeaturesSILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary:
mjw3281a.pdf

SPTECH Product SpecificationMJW3281ASPTECH Silicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC34 | 2SC5296 | MP25 | 2SC1972 | KRC242M | DTC123YKA | T1623
History: 2SC34 | 2SC5296 | MP25 | 2SC1972 | KRC242M | DTC123YKA | T1623



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c