NJW0302GT4TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NJW0302GT4TL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для NJW0302GT4TL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJW0302GT4TL даташит

 ..1. Size:1891K  cn sps
 njw0302gt4tl.pdf pdf_icon

NJW0302GT4TL

NJW0302GT4TL DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =250V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type NJW0281G APPLICATIONS Designed for high fidelity audio amplifier and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -250 V CBO V Collector-Emitter Voltage -250 V CEO Coll

 6.1. Size:80K  onsemi
 njw0281g njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302GT4TL

NJW0281G (NPN) NJW0302G (PNP) Preferred Devices Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors These complementary devices are lower power versions of the popular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. With http //onsemi.com superior gain linearity and safe operating area performance, these transistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and 15 AMPERES

 6.2. Size:949K  cn evvo
 njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302GT4TL

NJW0302G Silicon PNP transistor Power Amplifier Applications Complementary to NJW0281G High collector voltage VCEO=-230V(min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier Output stage Note Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to de

 6.3. Size:155K  cn minos
 njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302GT4TL

NJW0302G Transistor Silicon PNP Epitaxial Type NJW0302G Power Amplifier Applications Complementaryto NJW0281G High collector voltage VCEO=-230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequency amplifier Output stage Note Using continuously under heavy loads (e.g. theapplication of hightemperature/current/voltageandthe significant change intemperature, etc.) may causethis produc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU508AT4TL, BU941PT4TL, BU941TT1TL, FJL6920T7TL, MJW0281AT4TL, MJW0302AT4TL, MJW3281AT4TL, NJW0281GT4TL, S8550, NJW1302GT4TL, NJW3281GT4TL, TIP35CT4TL, TIP36CT4TL, CD568B, ISCE1938P, ISCN440P, ISCND436D