Биполярный транзистор BC817-16-AU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC817-16-AU
Маркировка: 8A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BC817-16-AU
BC817-16-AU Datasheet (PDF)
bc817-16-au bc817-25-au bc817-40-au.pdf
PBC817-16-AU / BC817-25-AU / BC817-40-AU Silicon NPN General Purpose Transistors SOT-23 Unit: inch(mm) 45V 500mA Voltage Current Features Silicon NPN Epitaxial type Excellent DC current gain characteristics General purpose amplifier application AEC-Q101 qualified Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 Green molding compound as per IEC 61249 Stan
bc817-16-25-40.pdf
BC817-16 / -25 / -40NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Ideally Suited for Automated Insertion Case: SOT-23 Epitaxial Planar Die Construction Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound, Note 4. UL Flammability Classification Rating 94V-0 For Switching, AF
bc817-16-25-40.pdf
BC817-16/BC817-25BC817-40COLLECTOR3General Purpose Transistor3NPN Silicon11BASE2SOT-232EMITTER( T =25 C unless otherwise noted)M aximum R atings ARating SymbolUnitValueVCEO 45Collector-Emitter Voltage VdcVCBO VdcCollector-Base Voltage50VEBO Vdc5.0Emitter-Base VoltagemAdcCollector Current-Continuous IC500Thermal CharacteristicsChara
bc817-16-g.pdf
General Purpose TransistorsBC817-16-G/25-G/40-G (NPN)RoHS DeviceFeatures -For general AF applications.SOT-23 -High collector current.0.119(3.00) -High current gain.0.110(2.80) -Low collector-emitter saturation voltage.30.056(1.40)Marking: 0.047(1.20)BC817-16-G: 6A1 20.006(0.15)BC817-25-G: 6B0.083(2.10)0.002(0.05)0.066(1.70)BC817-40-G: 6C0.044(1.10)
bc817-16-25-40.pdf
RoHS BC817- 16/ - 25/ 40BC817- 16/ - 25/ 40NPN EPTTAXIAL SILICON TRANSISTORSURFACE MOUNT SMALLSIGANL TRANSISTORSoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Emitter VoltageVCEO 45 VVEmitter-Base Voltage VCBO 50mACollector Current Ic 1000Peak Colteetor Current IcM mA1000Peak Fmitter Current IEM mA800oPDPower Dissipation
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050